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AVX钽电容器特点使其受人们青睐
文章出处:深圳市未来电子发展有限公司 作者:Admin 浏览次数:14 发表时间:2018-09-07 14:46:04
AVX钽电容:高性能的代名词在简单了解电容的分类之后,我们要求了今天的AVX钽电容的主角。
锗是一种略带蓝色的金属,英文名称为Tantalum,熔点高于2900°C(仅次于钨和钽),莫氏硬度为6.5(金刚石为10),具有令人难以置信的耐酸碱性。性别(王水对它没有化学影响,黄金与王水相遇)。上述特性使其难以加工,但其极高的介电常数(27,这是铝的4倍)以上)和烧结海绵状态和超稳态允许电子元件制造商忍受困难并将其应用于电容器。
最后,氦被制造成电子设备的电容器。美国的AVX钽电容使用黄色,而日本则偏爱黑色,AVX钽电容与颜色和性能无关。全球一半的钌金属生产用于生产AVX钽电容器。美国是贱金属最大的所有者。它曾经收购了世界钽粉的三分之一。全球最大的AVX KEMET钽电容器制造商是AVX钽电容器的发明者之一。它发展于20世纪50年代。最初的动机是开发一种可靠的小型高容量产品来取代战斗机的火控雷达。不可靠的铝电容器。高端铝和AVX钽电容器属于少数国外品牌。在20世纪90年代,随着铝聚合物电容器的发明和广泛使用,AVX钽电容器已被一些低端应用所取代,但AVX钽电容器仍然是军事和其他高端应用的绝对王者。美国仅停止生产铝电容器,其两大公司KEMET和AVX都制造了AVX钽电容器。 AVX钽电容:昂贵的选择现在很多显卡制造商在这个同质化时代都不会在乎电容的用途,只是计划要便宜,而不是用这么好的电容,不如改变漂亮的散热器来吸引眼。另外,如果显卡都使用AVX钽电容,它将面临一个巨大的问题,就是放养。铝电容器(包括铝聚合物电容器)和AVX钽电容器制造商遍布世界各地,但他们可以生产不超过10个世界范围的聚合物电容器,而且价格昂贵。由于它们的体积小,价格高,制造商在下订单后生产,交货日期为几个月。一般图形芯片的生命周期只有几个月,换句话说,某些电容可能没有安装在显卡上,显卡将被淘汰。为什么现在的显卡都是聚合物电容器呢?这是因为钽聚合物电容器的特性太吸引人了。
与铝聚合物电容器相比,钽聚合物电容器具有几个突出特点:
1.低漏电流:相同的阴极是聚合物(PEDTPPY等)。聚合物电容器的泄漏电流仅仅是铝聚合物电容器的一小部分。首先,以着名的三洋Sanyo SVP产品为例,4V33μF4SVP33M的漏电流(LC)为66μA,而相同规格的硅聚合物电容器一般仅为12μA,这意味着显卡使用了聚合物电容器来过滤电容。它会更干净,并且泄漏电流产生的脉冲会更小。
2.损耗角度小:以4SVP33M为例,损耗角度为0.15,同规格聚合物电容器的DF(损耗角)为0.08。 0.15和0.08之间的差值是两个数量级。
锗是一种略带蓝色的金属,英文名称为Tantalum,熔点高于2900°C(仅次于钨和钽),莫氏硬度为6.5(金刚石为10),具有令人难以置信的耐酸碱性。性别(王水对它没有化学影响,黄金与王水相遇)。上述特性使其难以加工,但其极高的介电常数(27,这是铝的4倍)以上)和烧结海绵状态和超稳态允许电子元件制造商忍受困难并将其应用于电容器。
最后,氦被制造成电子设备的电容器。美国的AVX钽电容使用黄色,而日本则偏爱黑色,AVX钽电容与颜色和性能无关。全球一半的钌金属生产用于生产AVX钽电容器。美国是贱金属最大的所有者。它曾经收购了世界钽粉的三分之一。全球最大的AVX KEMET钽电容器制造商是AVX钽电容器的发明者之一。它发展于20世纪50年代。最初的动机是开发一种可靠的小型高容量产品来取代战斗机的火控雷达。不可靠的铝电容器。高端铝和AVX钽电容器属于少数国外品牌。在20世纪90年代,随着铝聚合物电容器的发明和广泛使用,AVX钽电容器已被一些低端应用所取代,但AVX钽电容器仍然是军事和其他高端应用的绝对王者。美国仅停止生产铝电容器,其两大公司KEMET和AVX都制造了AVX钽电容器。 AVX钽电容:昂贵的选择现在很多显卡制造商在这个同质化时代都不会在乎电容的用途,只是计划要便宜,而不是用这么好的电容,不如改变漂亮的散热器来吸引眼。另外,如果显卡都使用AVX钽电容,它将面临一个巨大的问题,就是放养。铝电容器(包括铝聚合物电容器)和AVX钽电容器制造商遍布世界各地,但他们可以生产不超过10个世界范围的聚合物电容器,而且价格昂贵。由于它们的体积小,价格高,制造商在下订单后生产,交货日期为几个月。一般图形芯片的生命周期只有几个月,换句话说,某些电容可能没有安装在显卡上,显卡将被淘汰。为什么现在的显卡都是聚合物电容器呢?这是因为钽聚合物电容器的特性太吸引人了。
与铝聚合物电容器相比,钽聚合物电容器具有几个突出特点:
1.低漏电流:相同的阴极是聚合物(PEDTPPY等)。聚合物电容器的泄漏电流仅仅是铝聚合物电容器的一小部分。首先,以着名的三洋Sanyo SVP产品为例,4V33μF4SVP33M的漏电流(LC)为66μA,而相同规格的硅聚合物电容器一般仅为12μA,这意味着显卡使用了聚合物电容器来过滤电容。它会更干净,并且泄漏电流产生的脉冲会更小。
2.损耗角度小:以4SVP33M为例,损耗角度为0.15,同规格聚合物电容器的DF(损耗角)为0.08。 0.15和0.08之间的差值是两个数量级。
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